Abstract
The integration of Gallium Arsenide field effect transistors (GaAs - FETs) and multiple quantum well modulators is an exciting advancement in the area of optical interconnections [1-3].
© 1993 Optical Society of America
PDF ArticleMore Like This
L. M. F. Chirovsky, L. A. D’Asaro, E. J. Laskowski, S. S. Pei, M. T. Asom, M. W. Focht, J. M. Freund, G. D. Guth, R. E. Leibenguth, G. Livescu, R. A. Morgan, T. Mullaly, L. E. Smith, A. L. Lentine, G. D. Boyd, and T. K. Woodward
OThA.2 Optical Computing (IP) 1993
T. K. Woodward, A. L. Lentine, L. M. F. Chirovsky, M. W. Focht, J. M. Freund, G. D. Guth, R. E. Leibenguth, L. E. Smith, L. A. D’Asaro, E. J. Laskowski, and S. S. Pei
PMC3.1 Photonics in Switching (PS) 1993
G. Livescu, G. D. Boyd, and L. M. E Chirovsky
CFF6 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO:S&I) 1993